【导(dǎo)语(yǔ)】据(jù)外(wài)媒(méi)讯(xùn)，北(běi)京(jīng)大学量子材料科学中心携手中国人民大学，在电子技术领域取得重大突破。刘开辉教授团队创新采用“固-液-固”生长策略，成功制备出晶圆级二维硒化铟半导体，并在《Science》期刊发表研究成果。该InSe半导体展现出卓越电子性能，树立二维半导体新标杆。
驾趣智库讯 据外媒报道，在下一代电子技术的进步中，北京大学量子材料科学中心（International Center for Quantum Materials）与中国人民大学合作，成功制备出晶圆级二维硒化铟（InSe）半导体。在刘开辉教授的带领(lǐng)下(xià)，该(gāi)团(tuán)队(duì)开(kāi)发(fā)了(le)一(yī)种(zhǒng)新(xīn)颖(yǐng)的(de)“固(gù)-液(yè)-固(gù)”生(shēng)长(zhǎng)策(cè)略(è)，克(kè)服(fú)了(le)二(èr)维(wéi)半(bàn)导(dǎo)体(tǐ)制(zhì)造(zào)中(zhōng)长(zhǎng)期(qī)存(cún)在(zài)的(de)障(zhàng)碍(ài)。
图片来源：期刊《Science》
这项研究以“用于集成电子器件的二维硒化铟晶圆（Two-dimensional indium selenide wafers for integrated electronics）”为题发表在期刊《Science》上，展示了其卓越的电子性能，超越了所有先前报道的二维薄膜器件。制备的InSe晶体管在室温下表现出超高的电子迁移率和接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅，为二维半导体树立了新的标杆。
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